l  2018.7至今         北京大学电子学系            长聘副教授、研究员

l  2012.9-2018.6                北京大学电子学系                 助理教授、研究员

l  2011.4-2012.8                日本国立材料研究所                          独立研究员

l  2009.9-2011.3                日本国立材料研究所                          博士后

纳米结构电子发射、微纳真空电子器件、纳米材料结构与物性

1. Surface-tunneling micro electron source and array and realization method thereof；美国发明专利，2017年7月24日申请，申请号：16329688，公开号：US20190198279A1，专利号：US10804061B2，授权时间：2020年10月13日；发明人：Xianlong Wei、Gongtao Wu。
2. 一种表面隧穿微型电子源及其阵列和实现方法；中国发明专利，2017年5月27日申请，申请号：201710390423.2，公开号：CN107248489A，专利号：ZL201710390423.2，授权时间：2021年1月22日；发明人：魏贤龙、吴功涛。

l  2020 国家自然科学基金优秀青年基金

l  2011 全国优秀博士学位论文

1. 《真空》、《真空与低温》杂志编委
2. 北京真空学会理事
3. 中国计量测试学会真空计量专委会委员

1. Z. W. Li, X. L. Wei*, A High-Efficiency Electron-Emitting Diode Based on Horizontal Tunneling Junction. IEEE Electron Device Letters, 2019, 40, 1201.
2. G. T. Wu, Z. W. Li, Z.Q. Tang, D.P. Wei, G.M. Zhang, S. Gao, Q. Chen, L. M. Peng, X. L. Wei*, Silicon Oxide Electron-Emitting Nanodiodes. Advanced Electronic Materials, 2018, 4, 1800136.
3. H. Li, J. H. Wang, S. Gao, Q. Chen, L. M. Peng, K. H. Liu*, X. L. Wei*. Superlubricity between MoS₂ Monolayers. Advanced Materials, 2017, 29, 1701474.
4. G. T. Wu, X. L. Wei*, S. Gao, Q. Chen, L. M. Peng. Tunable graphene micro-emitters with fast temporal response and controllable electron emission. Nature Communications, 2016, 7, 11513.
5. X. L. Wei* D. Golberg, Q. Chen*, Y. Bando, and L. M, Peng. Phonon-Assisted Electron Emission from Individual Carbon Nanotubes. Nano Letters, 2011, 11(2), 734-739.